GR511x系列是汇顶科技面向消费级医疗应用推出的系统级芯片(SoC),集成低功耗蓝牙MCU和电化学前端(AFE)等核心模块,适用于动态葡萄糖监测(CGM)、汗液分析检测等场景。
基于Arm China® STAR-MC1 内核(兼容 Cortex®-M33),GR511x集成了2.4GHz射频(RF)收发机、低功耗蓝牙6.1协议栈、112 KB/160 KB 系统 RAM、512 KB/1 MB 片上 Flash,以及电化学前端(AFE)和丰富的外设。内置电化学前端(AFE)支持 2 电极、3 电极和 4 电极电化学检测,集成温度传感器,并支持外接 NTC,满足高精度血糖数据采集需求。
Bluetooth® LE无线微控制器
64 MHz STAR-MC1处理器(兼容Arm® Cortex®-M33)
片上存储
SRAM
GR5111DEBC:112 KB
GR5112DGBC:160 KB
内部Flash
GR5111DEBC:512 KB
GR5112DGBC:1 MB
Bluetooth LE Stack
加密广播数据(EAD)
最多支持16路同时连接
高性能射频
发射(TX)功率:高达+4 dBm
接收(RX)灵敏度:–97 dBm @ Bluetooth LE 1 Mbps
安全
提供完善的安全计算引擎
AES 128位/192位/256位对称加密(ECB和CBC)
HMAC-SHA256哈希加密算法
PKC
TRNG
硬件CRC32,支持DMA输入
提供全面的安全运行机制
安全启动
安全调试
安全密钥存储
MCU外设
数字外设
1 x 6通道DMA,支持M2M、M2P和P2M传输模式
模拟外设
1x ADC,有效位数10位,最大采样率1000 ksps,支持最多8路I/O通道和2路内部信号通道
集成可编程增益放大器(PGA),支持2/4/8倍可选增益,在8倍增益下可实现0.25 LSB(10位)的等效INL
1 x 低功耗比较器,支持从Sleep模式唤醒设备
内置晶圆温度传感器和电压传感器
通信外设
1 x SPI Master接口,传输速率高达32 MHz
2 x I2C接口,支持外设通信,传输速率高达1 Mbps
2 x UART接口,传输速率高达4 Mbps,支持流控(仅UART1)、IrDA和1-Wire协议
I/O外设
11 x I/O
定时器
2 x 通用32位定时器
1 x 双路定时器,包含2个可编程32位/16位递减计数器
1 x 睡眠定时器,可将设备从Sleep模式下唤醒
2 x AON看门狗定时器,时钟源可配置,支持独立运行
1 x 实时计数器(RTC)
2 x PWM模块(PWM0:2通道,PWM1:3通道),支持边沿对齐模式与中间对齐模式
调试
SWD接口
时钟
24 MHz晶振(内部倍频到48 MHz)
32.768 kHz晶振
内置32 kHz低频RC振荡器
内置64 MHz高频RC振荡器
内置256 kHz低频RC振荡器
电源管理
片内DC-DC转换器和LDO稳压器
电源电压:2.0 V ~ 3.3 V,支持Buck模式单电源供电
模拟前端(AFE)
3 x DAC,最高支持12位分辨率,偏置电压-700mV ~ 700mV
2 x 24位ADC,有效位数17.4位
电流检测范围:0.1 nA ~ 2 μA,输入等效噪声2 pA @ 3.2 MΩ
低功耗
Bluetooth LE MCU功耗
CoreMark®运行功耗:30 μA/MHz @ 3.3 V VSYSH输入、64 MHz时钟
Sleep模式:2.72 μA @ 3.3 V VSYSH输入,32 KB数据保持,支持通过AON定时器、GPIO或Bluetooth LE事件唤醒
Ship模式:20 nA,VSYSH保持上电,可通过专用引脚唤醒,在存储和船运过程中降低系统功耗
射频功耗
TX功耗:4.0 mA @ 0 dBm,3.3 V VSYSH输入
RX功耗:3.5 mA @ 3.3 V VSYSH输入
AFE功耗
偏置模式:6.4 μA(3.0 V,单个三电极传感器)
工作电极(WE)电流采样模式:6.6 μA(3.0 V,单传感器 @1 Hz采样率)
ESD
HBM:2 kV
CDM:500 V
工作温度
0°C ~ 70°C
封装
BGA45:3.0 mm x 3.0 mm x 0.77 mm,焊盘间距0.4/0.5 mm
符合RoHS标准
产品型号 |
GR5111DEBC | GR5112DGBC |
|---|---|---|
| CPU | STAR-MC1,兼容Cortex@-M33 | STAR-MC1,兼容Cortex@-M33 |
| SRAM | 112 KB | 160 KB |
| SiP Flash | 512 KB | 1 MB |
| I/O数量 | 11 | 11 |
| WE通道 | 1 | 2 |
| 封装(mm) | BGA45 (3.0 x 3.0 x 0.77) | BGA45 (3.0 x 3.0 x 0.77) |
| 工作温度 | 0℃ ~ 70℃ | 0°C ~ 70℃ |
| 电源电压 | 2.0 V ~ 3.3 V | 2.0 V ~ 3.3 V |
产品型号 |
GR5111DEBC | GR5112DGBC |
|---|---|---|
| CPU | STAR-MC1,兼容Cortex@-M33 | STAR-MC1,兼容Cortex@-M33 |
| SRAM | 112 KB | 160 KB |
| SiP Flash | 512 KB | 1 MB |
| I/O数量 | 11 | 11 |
| WE通道 | 1 | 2 |
| 封装(mm) | BGA45 (3.0 x 3.0 x 0.77) | BGA45 (3.0 x 3.0 x 0.77) |
| 工作温度 | 0℃ ~ 70℃ | 0°C ~ 70℃ |
| 电源电压 | 2.0 V ~ 3.3 V | 2.0 V ~ 3.3 V |
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