集成控制器和主机层的低功耗蓝牙5.3收发器

• 数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、Long Range（500 kbps、125 kbps）

• TX发射功率：-20 dBm ~ +7 dBm

• -98 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）

• -94 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）

• -101 dBm接收灵敏度（Long Range 500 kbps模式下）

• -104 dBm接收灵敏度（Long Range 125 kbps模式下）

• TX发射功耗：4.0 mA @ 0 dBm, 1 Mbps, 96 MHz

• RX接收功耗：3.5 mA @ 1 Mbps, 96 MHz

• AoA/AoD、LE同步通道

内置ARM^® Cortex^®-M4F 32位微处理器，支持浮点运算

• 时钟频率最高可达96 MHz

• 内置内存保护单元（MPU），支持8个可编程区域

• 支持硬件浮点运算单元（FPU）

• 内置嵌套向量中断控制器（NVIC）

• 支持不可屏蔽中断（NMI）输入

• SWD含16个断点、2个监测点以及1个调试时间戳计数器

• 在Flash执行的功耗为51 µA/MHz @ 3.3 V, 96 MHz

片内存储

• 512 KB数据SRAM，支持数据留存

• 8 KB缓存SRAM，支持数据留存

• Stack ROM（包含启动流程和蓝牙协议栈）

• 内置1 MB QSPI Flash

• 内置8 MB PSRAM（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）

数字外设

• 2 * DMA引擎，分别支持6个通道以及多达16个可编程请求和触发源

• 支持片内12 Mbps PHY的USB 2.0全速模式控制器和专用DMA控制器

• 集成Octal SPI DDR接口，支持内置8 MB PSRAM，传输速率最高可达48 MHz（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）

模拟外设

• 13位感测ADC，支持1 Msps采样率和多达11个通道（8个外部I/O通道和3个内部信号通道）

• 内置温度传感器和电压传感器

• 低功耗比较器，支持从Deep Sleep模式唤醒设备

丰富的串口外设

• 6 * UART接口，均支持流控和IrDA，传输速率最高可达4 Mbps

• 6 * I2C接口，支持外设通信，传输速率最高可达3.4 MHz

• 1 * 8-bit/16-bit/32-bit SPI Master接口，1 * SPI Slave接口供主机通信使用

• 2 * I2S接口（1 * I2S Master接口以及1 * I2S Slave接口）

• PDM接口，支持硬件采样率转换器

• 1 * ISO7816接口

显示屏以及图像处理

• 2.5D GPU支持图像加速处理（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）

• 1路面向显示屏的DSPI接口，支持MIPI DBI Type-C接口协议

• 3路频率高达48 MHz QSPI接口，支持内存映射，可快速访问外置NOR Flash

• 集成DC模块，支持MIPI DBI Type-C接口协议和2D图像混合技术（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）

安全

• 提供完善的安全计算引擎：

  • AES 128-bit/192-bit/256-bit加密（ECB和CBC）

  • HMAC-SHA256哈希加密算法

  • PKC

  • TRNG

• 提供全面的安全运行机制：

  • 安全启动

  • 加密固件直接从Flash运行

  • 密钥加密后存储至eFuse中

  • 应用数据密钥不同于固件密钥，支持一机一密

I/O外设

• 50个I/O引脚

  • 34个通用型I/O引脚

  • 8个支持睡眠唤醒的I/O引脚

  • 8个可配置数字模拟接口的混合信号I/O引脚

计时器

• 2 * 32位计时器

• 1路计时器支持两个可编程递减计数器，可为32位或16位

• 1路内置睡眠计时器用于将设备从Deep Sleep模式下唤醒

• 2 * PWM模块，支持边沿对齐模式和中心对齐模式，各模块分别配有3路通道

• 两路实时计数器（RTC）：1路RTC和1路用于实现Calendar

电源管理

• 片内DC-DC转换器提供RF模拟电压并支持为核心LDO供电

• 片内I/O LDO提供I/O电压并支持为外部器件供电；最大I/O LDO驱动电流：30 mA

• 用于掉电检测（BOD）的可编程阈值

• 电源电压：2.4 V ~ 4.35 V

• I/O电压：1.8 V ~ 3.6 V

低功耗模式

• Sleep模式：3.3 µA（典型值）；此时VBAT输入电压为3.3 V，128 KB SRAM处于保持状态，LFXO_32K关闭；AON域8个唤醒源均可唤醒系统

• Ultra Deep Sleep模式：2.4 µA（典型值）；除AON域外的内部耗电模块（包含SRAM）与LFXO_32K均停止；支持通过睡眠定时器和AON GPIO唤醒

• OFF模式：200 nA（典型值），除VBAT外均断电，芯片处于复位模式

封装类型

• BGA83：4.3 mm * 4.3 mm * 0.96 mm，焊盘间距0.4 mm

• QFN68：7.0 mm * 7.0 mm * 0.85 mm，焊盘间距0.35 mm

工作温度：-40 °C ~ +85 °C