集成控制器和主机层的低功耗蓝牙5.3收发器

• 数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、Long Range（500 kbps、125 kbps）

• TX发射功率：-20 dBm ~ +7 dBm

• -97 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）

• -93 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）

• -101 dBm接收灵敏度（Long Range 500 kbps模式下）

• -103 dBm接收灵敏度（Long Range 125 kbps模式下）

• TX发射功耗：6.3 mA @ 0 dBm, 1 Mbps, 64MHz

• RX接收功耗：5.3 mA @ 1 Mbps, 64 MHz

内置ARM^® Cortex^®-M4F 32位微处理器，支持浮点运算

• 时钟频率高达96 MHz

• 内置内存保护单元（MPU），提供8个可编程区域

• 支持硬件浮点运算单元（FPU）

• 内置嵌套向量中断控制器（NVIC）

• 支持不可屏蔽中断（NMI）输入

• 支持串行调试（SWD），提供16个断点、2个监视点和1个时间戳计数器

• 从Flash运行CoreMark的功耗：56 µA/MHz @ 3.3 V, 64 MHz

片上存储

• 256 KB数据RAM，支持数据保持

• 8 KB缓存RAM，支持数据保持

• Stack ROM（包含启动流程和蓝牙协议栈）

• 内置1 MB QSPI Flash (GR5525IENI为512KB, GR5525I0NI为外接Flash)

数字外设

• 2 * DMA引擎，分别支持6个通道以及多达16个可编程请求和触发源

模拟外设

• 13位感测ADC，支持1 Msps采样率和多达11个通道（8个外部I/O通道和3个内部信号通道）

• 内置晶圆温度传感器和电压传感器

• 低功耗比较器，支持从Sleep模式唤醒设备

丰富的串口外设

• 4 * UART接口，均支持流控和IrDA，传输速率高达2 Mbps

• 4 * I2C接口，支持外设通信，传输速率高达3.4 MHz

• 1 * 8-bit/16-bit/32-bit SPI Master接口，1 * SPI Slave接口供主机通信使用

• 2 * I2S接口（1 * I2S Master接口以及1 * I2S Slave接口）

• PDM接口，支持硬件采样率转换器

• 1 * DSPI接口，用于外接显示屏，支持MIPI DBI Type-C接口协议

• 3 * QSPI接口，传输速率高达48 MHz，支持内存映射，可快速访问外置NOR Flash

安全

• 提供完善的安全计算引擎：

  • AES 128-bit/192-bit/256-bit加密（ECB和CBC）

  • HMAC-SHA256哈希加密算法

  • PKC

  • TRNG

• 提供全面的安全运行机制：

  • 安全启动

  • 加密固件直接从Flash运行

  • 密钥加密后存储至eFuse中

  • 应用数据密钥不同于固件密钥，支持一机一密

I/O外设

• 多达50个I/O引脚

  • 多达34个GPIO

  • 多达8个AON I/O，支持从睡眠模式唤醒

  • 多达8个MSIO，可配置为数字/模拟信号接口

计时器

• 2个32位通用计时器

• 1个双路定时器，包含2个可编程32位/16位递减计数器

• 1个睡眠计时器，可将设备从Sleep模式下唤醒

• 2个3通道PWM模块，支持边沿对齐模式与中间对齐模式

• 两个实时计数器（RTC）：1个RTC和1个用于实现Calendar

电源管理

• 片内DC-DC，为RF模拟模块及芯片CORE_LDO供电

• 片内I/O LDO，为I/O及外围器件供电；最大I/O LDO驱动电流：30 mA

• 可编程的欠压检测器（BOD）

• 供电电压：2.4 V ~ 3.8 V

• I/O电压：1.8 V ~ 3.6 V

低功耗模式

• Sleep模式：7.3 µA（典型值）；此时VBAT输入电压为3.3 V，SRAM处于保持状态，LFXO_32K运行；AON域8个唤醒源均可唤醒系统

• Ultra Deep Sleep模式：5.0 µA（典型值）；除AON域外的内部耗电模块（包含SRAM）与LFXO_32K均停止；支持通过睡眠定时器和AON GPIO唤醒

• OFF模式：200 nA（典型值），除VBAT外均断电，芯片处于复位模式

封装类型

• QFN68：7.0 mm * 7.0 mm * 0.85 mm，焊盘间距0.35 mm

• QFN56：7.0 mm * 7.0 mm * 0.75 mm，焊盘间距0.4 mm

工作温度：-40 °C ~ +85 °C